拉姆研究:NAND 恢复和先进封装推动增长,分析师强调中国风险

拉姆研究:NAND 恢复和先进封装推动增长,分析师强调中国风险

拉姆研究(Lam Research,纳斯达克股票代码:LRCX)在 NAND 存储器市场复苏和先进封装技术的推动下有望实现增长,但分析师也强调了中国市场带来的风险。

两大机构分析师给出正面评级

美国银行证券分析师维韦克·阿利亚(Vivek Arya)重申了对拉姆研究的买入评级,并将目标股价从 88 美元上调至 92 美元。

阿利亚对拉姆研究在关键技术趋势中的优势、对 NAND 存储器市场复苏的强劲敞口以及稳定的自由现金流产生能力表示信心。

然而,他指出,尽管预计中国市场份额将在 12 月份恢复到 30%,但出口管制带来的持续风险依然存在,毛利率和营业利润率的增长似乎有限。

阿利亚将 2025 年和 2026 年的盈利预测分别上调了 4% 和 7%。

高盛分析师 Toshiya Hari 重申了对拉姆研究的买入评级,但将目标股价从 102.50 美元下调至 96 美元。

他认为,NAND、领先的代工厂/逻辑芯片和 DRAM 的进步将增加对刻蚀和沉积的需求,帮助拉姆研究在 2025 年及以后的晶圆制造设备(WFE)市场中抢占份额。

中国市场风险成为关注点

两位分析师都提到了中国市场可能带来的风险。

阿利亚指出,近期向中国出口的大量光刻设备可能会导致中国市场出现更大的回调,但由于拉姆研究在 NAND 和封装等先进技术领域的优势,其受影响程度较小。

Hari 指出,尽管 ASML 由于领先的代工厂需求疲软和中国支出可能下降而下调了 2025 年的收入预期,但拉姆研究维持了 2024 年 WFE 市场规模为 900 亿美元中期的预测。

Hari 认为,市场将积极看待拉姆研究在中国的收入份额下降,因为市场通常会对来自中国的收入流给予低于平均水平的估值倍数。

拉姆研究未来增长机会

尽管存在中国市场风险,拉姆研究在 2025 年仍然拥有多个增长机会,包括:

  • NAND 存储器技术的变化
  • DRAM、HBM 和领先的代工厂领域的持续强劲增长
  • 人工智能(AI)技术所需的先进封装

虽然英特尔和三星可能会出现一些延迟,但拉姆研究有望在 2025 年超越竞争对手。

总体而言,拉姆研究的增长潜力很大,但投资者需要密切关注中国市场风险,以及英特尔和三星带来的潜在挑战。

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